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資料CVD,MOCVD專用氫氣發生器
時間:2021/7/28 閱讀:2018
  CVD,MOCVD專用氫氣發生器由超純水機制取二級水,并儲存至水箱備用。氫氣發生器缺水時,自動供給至氫氣發生器。多臺氫氣發生器可串聯使用,通過串聯控制線由一臺發生器控制其他發生器,實現產氣均勻分配。(以兩臺設備為例控制圖如下)

 


 
  CVD,MOCVD專用氫氣發生器產品特點:
 
  1.配備純水系統,完成自來水進水完成大流量的氫氣制備。
 
  2.儀器的全部工作過程均由程序控制,自動恒壓、恒流,通過串聯控制線,可實現多組并聯使用。
 
  3.安全可靠:配有安全裝置,電解超純水制氫,無腐蝕、無污染,配有壓力控制,缺水自動監控,漏氣自動檢測。
 
  4.操作方便使用時只需打開電源開關即可產氫,使用后無需泄壓,直接關閉電源即可。可連續使用,也可間斷使用,產氫量穩定不衰減。
 
  5.使用固態電解質(PEM)法產生氫氣,以超純凈水原料,以固體聚合物為電解質,貴金屬做電極有效的除濕裝置,降低了原始濕度,純度穩定。

 


 
  CVD,MOCVD專用氫氣發生器技術參數:
 
  1.氫氣純度: 99.9999-99.99999%
 
  2.氫氣流量:1L-17L/min
 
  3.輸出壓力:0-80psi(約0.5MPa)
 
  4.壓力穩定性:< 0.001MPa
 
  5.供電電源:220V±10% 50HZ
 
  6.消耗功率:8kw(HYDROGEN-17L)
 
  7.純水需求:>2MΩ&1L/h
 
  8.氫氣容積:<20L(HYDROGEN-17L)
 
  9.環境溫度:1-40℃
 
  10.相對濕度:<85%
 
  11.海拔高度:<2000米
 
  12.外形尺寸:80x90x100(WxDxH cm)(HYDROGEN-17L)
 
  13.凈重:約200kg(HYDROGEN-17L)

 

CVD,MOCVD專用(yong)氫氣發生(sheng)器

 


 
  MOCVD是一種新型的氣相外延生長技術,它是在氣相外延生長(VPE)的基礎上發展起來的,是以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有機化合物和V、Ⅵ族元素的氫化物等作為晶體生長源材料,以熱分解反應方式在襯底上進行氣相外延,生長各種Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體以及它們的多元固溶體的薄層單晶材料。
 
  氫氣發生器在MOCVD中的廣泛應用:
 
  在MOCVD中,氫氣可以擔當載氣,將III(II)金屬有機物和V(VI)族氫化物以及摻雜源攜帶運輸到反應室內,為化學沉積反應和薄膜生長提供基礎,MOCVD要求氫氣純度≥99.999%(≥5N),進口壓力為4-7bar,而氫氣發生器所產氫氣可以符合這一領域的用氣需求。同時,氫氣純度穩定不變,減少了氫氣純度波動對設備的影響。
 
  除此之外,設備操作便捷,保障氫氣供應連續不間斷,用戶無需擔心氫氣用完,也無需和高壓氣體鋼瓶接觸,發生器自動運行,無需額外人工操作;發生器自動偵測自身工作狀態和錯誤,一旦偵測異常,發生器報警。
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